الليزر حسب عامل الشكل ومعدل البيانات
يتحدد نوع الليزر داخل الوحدة بأمرين — المعدل لكل مسار الذي يجب أن يُضمِّنه الليزر، ومدى الإرسال الذي يجب أن يغطيه — وكلاهما ارتفع مع كل جيل من أجيال عامل الشكل. وتُخطِّط هذه الصفحة تقنية الليزر والمستقبل المستخدمة في كل مرحلة، من GBIC بسرعة 1G إلى OSFP بسرعة 800G.
القاعدة التقريبية
| مدى الإرسال | الألياف | الليزر | المستقبل |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | متعدد الأنماط | VCSEL بطول 850 nm، تضمين مباشر | PIN |
| 500 m – 2 km | أحادي النمط | DFB (DML) أو SiPh بطول 1310 nm | PIN |
| 10 km | أحادي النمط | DFB (DML) حتى 10–25G؛ وEML عند 50–100G لكل مسار | PIN |
| 40 km | أحادي النمط | EML بطول 1550 أو LAN-WDM، مبرَّد | PIN أو APD |
| 80 km+ | أحادي النمط | EML + APD، أو متماسك (coherent) قابل للضبط | APD / متماسك |
ويدفع المعدل في الاتجاه نفسه: حتى 10G يكفي ليزر بتضمين مباشر؛ وعند 25G يصبح DML حدّيًا فيحل محله EML/VCSEL-25G؛ ومن 50G PAM4 لكل مسار تهيمن مُضمِّنات EML أو الفوتونيات السيليكونية؛ وعند 100G+ لكل مسار تبلغ VCSEL سقفها.
جيلًا بعد جيل
1G — GBIC وSFP (من عقد 1990 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | VCSEL بطول 850 nm | GaAs PIN |
| 1000BASE-LX | FP بطول 1310 nm (ثم DFB لاحقًا) | InGaAs PIN |
| 1000BASE-EX / ZX | DFB بطول 1310 / 1550 nm | PIN؛ وAPD في ZX بمدى 80–120 km |
| CWDM SFP | DFB غير مبرَّد على شبكة 20 nm | PIN، وAPD عند 80 km+ |
كان الطيف متعدد الأنماط لليزر FP مقبولًا عند 1.25 Gb/s؛ وجعلت VCSEL بصريات 1G متعددة الأنماط شبه مجانية. راجع GBIC، SFP.
10G — XFP وSFP+ (من 2002 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | VCSEL بطول 850 nm وسرعة 10G | PIN |
| 10GBASE-LRM | FP/DFB بطول 1310 nm + EDC في المضيف | PIN |
| 10GBASE-LR | DFB بطول 1310 nm، تضمين مباشر | PIN |
| 10GBASE-ER | EML بطول 1550 nm، مبرَّد | PIN / APD |
| 10GBASE-ZR / 80 km | EML بطول 1550 nm، مبرَّد | APD |
| DWDM 10G، قابل للضبط | DFB مبرَّد أو قابل للضبط (DBR/ITLA) + EML | APD |
عند 10G أصبح EML وAPD معيارَين لأي مدى يتجاوز 10 km، وهو حيث أفسح CDR الداخلي في XFP المجال لتصميم SFP+ القائم على جهة المضيف (XFP، SFP+).
25G — SFP28 (من 2015 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | VCSEL بطول 850 nm وسرعة 25G | PIN |
| 25GBASE-LR | DFB بطول 1310 nm وسرعة 25G (DML) أو EML | PIN |
| 25GBASE-ER | EML بطول 1310 nm | APD |
ويصل RS-FEC مع 25G، ما يتيح لليزرات أرخص تلبية المواصفة عند نقطة BER قبل FEC.
40G — QSFP+ (من 2010 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | مصفوفة VCSEL بسرعة 4 × 10G، شريحة على اللوحة | مصفوفة 4 × PIN |
| 40GBASE-LR4 | 4 × DFB على CWDM بطول 1271–1331 nm، غير مبرَّد | 4 × PIN + مفكِّك تضميم |
| 40G PSM4 | 4 × DFB بطول 1310 nm | 4 × PIN |
وهي أول بصريات متوازية واسعة الانتشار في السوق؛ وأرست مصفوفات VCSEL على لوحة مع مصفوفة عدسات وفيرول MPO النمط الذي اتبعته كل وحدات SR4/SR8 منذ ذلك الحين (QSFP+، الشريحة على اللوحة).
100G — QSFP28 (من 2015 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | VCSEL بسرعة 4 × 25G (COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4 / CLR4 | DFB بسرعة 4 × 25G (DML)، CWDM غير مبرَّد | 4 × PIN + مفكِّك تضميم |
| 100G PSM4 | DFB بسرعة 4 × 25G أو مُضمِّن SiPh MZM من ليزر CW واحد | 4 × PIN (جرمانيوم على SiPh) |
| 100GBASE-LR4 / ER4 | EML بسرعة 4 × 25G على LAN-WDM، مبرَّد | PIN / APD |
| 100GBASE-DR / FR / LR | EML أو SiPh بسرعة 1 × 100G PAM4 | PIN، وTIA خطي + DSP |
| 100G DWDM / فئة ZR | قابل للضبط + EML أو متماسك | APD / متماسك |
و100G هو الجيل الذي دخلت فيه الفوتونيات السيليكونية الإنتاج بكميات كبيرة (PSM4، DR)، وحيث حدد الانقسام بين DFB غير المبرَّد (CWDM4، مدى 2 km) وEML المبرَّد (LR4، مدى 10 km) سُلَّم الأسعار (QSFP28).
200G / 400G — QSFP56 وQSFP-DD وOSFP (من 2019 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4 / SR8 | مصفوفات VCSEL بسرعة 50G PAM4 (COB) | مصفوفات PIN + DSP |
| 400GBASE-DR4 | EML أو مُضمِّن SiPh MZM بسرعة 4 × 100G PAM4، بطول 1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4 / LR4 | EML بسرعة 4 × 100G على CWDM، مبرَّد | PIN |
| 400GBASE-FR8 / LR8 | EML بسرعة 8 × 50G على LAN-WDM | PIN |
| 400ZR / ZR+ | nano-ITLA قابل للضبط + مُضمِّن SiPh متماسك | مستقبل متماسك |
يجعل PAM4 من DSP جزءًا من كل وحدة ويدفع الليزرات إلى 100G لكل مسار — وهو مجال EML وSiPh (QSFP-DD، OSFP).
800G و1.6T — OSFP وQSFP-DD800 وOSFP-XD (من 2022 →)
| PMD | الليزر | الكاشف |
|---|---|---|
| 800G SR8 | VCSEL بسرعة 100G PAM4 (سقف VCSEL) | PIN + DSP |
| 800G DR8 / 2×DR4 | EML أو SiPh بسرعة 8 × 100G | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | EML بسرعة 8 × 100G على CWDM | PIN |
| 1.6T DR8 (200G لكل مسار) | مُضمِّنات EML وSiPh ونيوبات الليثيوم بغشاء رقيق بسرعة 200G PAM4 | PIN + DSP |
| متغيرات LPO | الليزرات نفسها، دون DSP في الوحدة — يُعادِل المضيف الإشارة | TIA خطي فقط |
اتجاهات شاملة
- من التضمين المباشر إلى الخارجي — DML عند ≤ 25G، وEML/MZM فوق ذلك.
- من ليزر لكل مسار إلى ليزر واحد لكل وحدة — يقسِّم SiPh مصدر CW واحدًا عبر المسارات.
- من علب TO المحكمة الإغلاق إلى الشرائح العارية — الشريحة على اللوحة للبصريات المتوازية، ودمج SiPh لأحادي النمط.
- يتقلص مدى VCSEL مع ازدياد المعدل — 550 m عند 1G، و100 m عند 25G، و50–100 m عند 100G؛ ويحل DR أحادي النمط محله حتى في وصلات مراكز البيانات القصيرة.
- ينتقل المتماسك إلى الوحدات القابلة للتوصيل — يسع مستقبل النقل الآن داخل QSFP-DD.
- القدرة هي الحد الجديد — تدفع EML المبرَّدة وDSP وITLA وحدات 400G/800G إلى 15–20 W، ما يدفع نحو LPO والبصريات المُغلَّفة مشتركًا.
لماذا يهم هذا في الترميز والتشخيص
بيانات التعريف التي يقرأها المبدّل — الطول الموجي، ومدى الإرسال، ورمز التوافق — بديل غير مباشر عن الليزر الداخلي. وترميز وحدة VCSEL SR4 كأنها LR4 لا يغيّر ليزراتها بطول 850 nm؛ وسيتوقع المضيف مدى إرسال أحادي النمط لا يمكنها توفيره. وتختلف بصمة DDM باختلاف نوع الليزر — انحياز VCSEL ببضعة mA مقابل انحياز EML بعشرات mA زائد TEC — فقيمة انحياز «طبيعية» لأحدهما تكون إنذارًا للآخر (أنواع الليزر، المستقبلات).
جانب معالجة الإشارة من القصة نفسها — من المضخمات المحدِّدة إلى DSP وLPO والمتماسك — موجود في التضمين وDSP؛ وجانب التغليف في التغليف الضوئي.