Laser theo form factor và tốc độ dữ liệu · Bên trong module: laser và bộ thu · Transceiver quang và cáp · Tài liệu · CodingBox
CodingBox Tài liệu

Laser theo form factor và tốc độ dữ liệu

Loại laser nào nằm bên trong một module được quyết định bởi hai yếu tố — tốc độ mỗi làn mà laser phải điều chế và cự ly mà nó phải đáp ứng — và cả hai đều tăng dần qua từng thế hệ form factor. Trang này lập bản đồ công nghệ laser và bộ thu được dùng ở mỗi bước, từ GBIC 1G tới OSFP 800G.

Quy tắc kinh nghiệm

Cự lySợi quangLaserBộ thu
≤ 100–500 mđa modeVCSEL 850 nm, điều chế trực tiếpPIN
500 m – 2 kmđơn modeDFB (DML) hoặc SiPh 1310 nmPIN
10 kmđơn modeDFB (DML) tới 10–25G; EML ở 50–100G mỗi lànPIN
40 kmđơn modeEML 1550 hoặc LAN-WDM, có làm mátPIN hoặc APD
80 km+đơn modeEML + APD, hoặc coherent điều chỉnh đượcAPD / coherent

Tốc độ cũng đẩy theo cùng hướng: tới 10G thì một laser điều chế trực tiếp vẫn ổn; ở 25G, DML đã ở ranh giới và EML/VCSEL-25G bắt đầu thay thế; từ 50G PAM4 mỗi làn, EML hoặc bộ điều chế silicon-photonics chiếm ưu thế; ở 100G+ mỗi làn, VCSEL chạm trần khả năng của mình.

Qua từng thế hệ

1G — GBIC và SFP (thập niên 1990 → )

PMDLaserBộ tách sóng
1000BASE-SXVCSEL 850 nmPIN GaAs
1000BASE-LXFP 1310 nm (về sau là DFB)PIN InGaAs
1000BASE-EX / ZXDFB 1310 / 1550 nmPIN; APD trên ZX 80–120 km
CWDM SFPDFB không làm mát trên lưới 20 nmPIN, APD trên cự ly 80 km+

Phổ đa mode của laser FP vẫn chấp nhận được ở tốc độ 1,25 Gb/s; VCSEL khiến quang học đa mode 1G gần như miễn phí. Xem GBIC, SFP.

10G — XFP, SFP+ (2002 → )

PMDLaserBộ tách sóng
10GBASE-SRVCSEL 10G 850 nmPIN
10GBASE-LRMFP/DFB 1310 nm + EDC phía hostPIN
10GBASE-LRDFB 1310 nm, điều chế trực tiếpPIN
10GBASE-EREML 1550 nm, có làm mátPIN / APD
10GBASE-ZR / 80 kmEML 1550 nm, có làm mátAPD
DWDM 10G, điều chỉnh đượcDFB có làm mát hoặc điều chỉnh được (DBR/ITLA) + EMLAPD

10G là mốc mà EML và APD trở thành tiêu chuẩn cho mọi cự ly trên 10 km, và là nơi CDR bên trong module của XFP nhường chỗ cho thiết kế đặt CDR phía host của SFP+ (XFP, SFP+).

25G — SFP28 (2015 → )

PMDLaserBộ tách sóng
25GBASE-SRVCSEL 25G 850 nmPIN
25GBASE-LRDFB 25G 1310 nm (DML) hoặc EMLPIN
25GBASE-EREML 1310 nmAPD

RS-FEC xuất hiện cùng với 25G, cho phép các laser rẻ hơn vẫn đáp ứng đặc tả tại điểm BER trước FEC.

40G — QSFP+ (2010 → )

PMDLaserBộ tách sóng
40GBASE-SR4dãy VCSEL 4 × 10G, chip-on-boarddãy PIN 4 ×
40GBASE-LR44 × DFB trên CWDM 1271–1331 nm, không làm mát4 × PIN + bộ tách kênh
40G PSM44 × DFB 1310 nm4 × PIN

Đây là quang học song song đầu tiên bán ra thị trường đại chúng; dãy VCSEL trên một bo mạch cùng một dãy thấu kính và ferrule MPO đã đặt ra khuôn mẫu cho mọi SR4/SR8 kể từ đó (QSFP+, Chip-on-board).

100G — QSFP28 (2015 → )

PMDLaserBộ tách sóng
100GBASE-SR44 × VCSEL 25G (COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × DFB 25G (DML), CWDM không làm mát4 × PIN + bộ tách kênh
100G PSM44 × DFB 25G hoặc MZM SiPh từ một laser CW duy nhất4 × PIN (Ge trên SiPh)
100GBASE-LR4 / ER44 × EML 25G trên LAN-WDM, có làm mátPIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × EML PAM4 100G hoặc SiPhPIN, TIA tuyến tính + DSP
100G DWDM / lớp ZRđiều chỉnh được + EML, hoặc coherentAPD / coherent

100G là thế hệ mà silicon photonics bước vào sản xuất số lượng lớn (PSM4, DR), và là nơi ranh giới giữa DFB không làm mát (CWDM4, 2 km) và EML có làm mát (LR4, 10 km) định hình thang giá (QSFP28).

200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )

PMDLaserBộ tách sóng
200G/400G SR4 / SR8dãy VCSEL PAM4 50G (COB)dãy PIN + DSP
400GBASE-DR44 × EML PAM4 100G hoặc MZM SiPh, 1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR44 × EML 100G trên CWDM, có làm mátPIN
400GBASE-FR8 / LR88 × EML 50G trên LAN-WDMPIN
400ZR / ZR+nano-ITLA điều chỉnh được + bộ điều chế coherent SiPhbộ thu coherent

PAM4 khiến DSP trở thành một phần của mọi module và đẩy laser lên tới 100G mỗi làn — địa hạt của EML và SiPh (QSFP-DD, OSFP).

800G và 1,6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )

PMDLaserBộ tách sóng
800G SR8VCSEL PAM4 100G (giới hạn trần của VCSEL)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × EML 100G hoặc SiPhPIN + DSP
800G 2×FR48 × EML 100G trên CWDMPIN
1,6T DR8 (200G/làn)EML PAM4 200G, SiPh, bộ điều chế lithium niobate màng mỏngPIN + DSP
Biến thể LPOcùng loại laser, không có DSP trong module — host tự cân bằng tín hiệuchỉ có TIA tuyến tính

Các xu hướng xuyên suốt

  1. Từ điều chế trực tiếp sang điều chế ngoài — DML cho ≤ 25G, EML/MZM cho tốc độ cao hơn.
  2. Từ một laser mỗi làn sang một laser cho cả module — SiPh chia một nguồn CW ra cho nhiều làn.
  3. Từ TO-can kín khí sang die trần — chip-on-board cho quang học song song, tích hợp SiPh cho đơn mode.
  4. Cự ly VCSEL thu hẹp khi tốc độ tăng — 550 m ở 1G, 100 m ở 25G, 50–100 m ở 100G; DR đơn mode đang thay thế cả những liên kết ngắn trong trung tâm dữ liệu.
  5. Coherent tiến vào các module cắm rút — bộ thu truyền dẫn giờ đây vừa gọn trong một QSFP-DD.
  6. Công suất là giới hạn mới — EML có làm mát, DSP và ITLA đẩy các module 400G/800G lên 15–20 W, thúc đẩy sự ra đời của LPO và quang học đóng gói chung.

Vì sao điều này quan trọng đối với việc mã hóa và chẩn đoán

Byte thông tin nhận dạng mà một switch đọc — bước sóng, cự ly, mã tuân thủ — là đại diện gián tiếp cho loại laser bên trong. Mã hóa một module VCSEL SR4 thành LR4 không làm thay đổi các laser 850 nm của nó; host sẽ kỳ vọng một cự ly đơn mode mà module không thể đáp ứng. Và dấu hiệu DDM cũng khác nhau theo loại laser — dòng phân cực vài mA của một VCSEL so với dòng phân cực hàng chục mA cộng thêm TEC của một EML — nên một giá trị dòng phân cực “bình thường” với loại này lại là báo động với loại kia (Loại laser, Bộ thu).

Khía cạnh xử lý tín hiệu của cùng câu chuyện này — từ bộ khuếch đại giới hạn tới DSP, LPO và coherent — nằm trong Điều chế và DSP; khía cạnh đóng gói nằm trong Đóng gói quang học.


Nếu bạn phát hiện thông tin chưa chính xác hoặc lỗi trong bài viết này, hãy chọn đoạn liên quan và nhấn Ctrl+Enter để .