ফর্ম ফ্যাক্টর ও ডেটা রেট অনুযায়ী লেজার
মডিউলের ভেতরে কোন লেজার বসবে, তা ঠিক করে দুটি বিষয়: লেজারকে যে প্রতি লেনের রেটে মডুলেট করতে হবে এবং যে পাল্লা পার করতে হবে; ফর্ম ফ্যাক্টরের প্রতিটি প্রজন্মের সঙ্গে দুটিই ক্রমাগত বেড়েছে। এই পেজে 1G GBIC থেকে 800G OSFP পর্যন্ত প্রতিটি ধাপে ব্যবহৃত লেজার ও রিসিভার প্রযুক্তির মানচিত্র দেওয়া হয়েছে।
মোটামুটি নিয়ম
| পাল্লা | ফাইবার | লেজার | রিসিভার |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | মাল্টিমোড | VCSEL 850 nm, ডাইরেক্ট মডুলেশন | PIN |
| 500 m – 2 km | সিঙ্গেল-মোড | DFB (DML) বা SiPh 1310 nm | PIN |
| 10 km | সিঙ্গেল-মোড | 10–25G পর্যন্ত DFB (DML); প্রতি লেনে 50–100G-তে EML | PIN |
| 40 km | সিঙ্গেল-মোড | EML 1550 বা LAN-WDM, কুলিংসহ | PIN বা APD |
| 80 km+ | সিঙ্গেল-মোড | EML + APD, অথবা কোহেরেন্ট টিউনেবল | APD / কোহেরেন্ট |
রেটের ক্ষেত্রেও একই প্রবণতা: 10G পর্যন্ত ডাইরেক্ট মডুলেটেড লেজারই যথেষ্ট; 25G-তে DML সীমারেখায় পৌঁছায় এবং EML/25G VCSEL তার জায়গা নেয়; প্রতি লেনে 50G PAM4 থেকে EML বা সিলিকন-ফোটনিক্স মডুলেটর প্রধান হয়ে ওঠে; প্রতি লেনে 100G+ রেটে VCSEL তার সীমায় পৌঁছে যায়।
প্রজন্ম ধরে ধরে
1G: GBIC ও SFP (1990-এর দশক থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | 850 nm VCSEL | GaAs PIN |
| 1000BASE-LX | 1310 nm FP (পরে DFB) | InGaAs PIN |
| 1000BASE-EX / ZX | 1310 / 1550 nm DFB | PIN; 80–120 km ZX-এ APD |
| CWDM SFP | 20 nm গ্রিডে কুলিংবিহীন DFB | PIN, 80 km+ হলে APD |
FP লেজারের মাল্টিমোড স্পেকট্রাম 1.25 Gb/s-এ গ্রহণযোগ্য ছিল; VCSEL আসার পর 1G মাল্টিমোড অপটিক্স প্রায় বিনামূল্যের মতো সস্তা হয়ে যায়। দেখুন GBIC, SFP।
10G: XFP, SFP+ (2002 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | 850 nm 10G VCSEL | PIN |
| 10GBASE-LRM | 1310 nm FP/DFB + হোস্টের EDC | PIN |
| 10GBASE-LR | 1310 nm DFB, ডাইরেক্ট মডুলেশন | PIN |
| 10GBASE-ER | 1550 nm EML, কুলিংসহ | PIN / APD |
| 10GBASE-ZR / 80 km | 1550 nm EML, কুলিংসহ | APD |
| DWDM 10G, টিউনেবল | কুলিংসহ DFB বা টিউনেবল (DBR/ITLA) + EML | APD |
10 km-এর বেশি দূরত্বের জন্য EML ও APD স্ট্যান্ডার্ড হয়ে ওঠে 10G-তেই, আর এখানেই XFP-এর মডিউলের ভেতরের CDR-এর জায়গা নেয় SFP+-এর হোস্টের দিকের নকশা (XFP, SFP+)।
25G: SFP28 (2015 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | 850 nm 25G VCSEL | PIN |
| 25GBASE-LR | 1310 nm 25G DFB (DML) বা EML | PIN |
| 25GBASE-ER | 1310 nm EML | APD |
25G-এর সঙ্গে আসে RS-FEC, যার ফলে সস্তা লেজারও FEC-এর আগের BER বিন্দুতে স্পেসিফিকেশন পূরণ করতে পারে।
40G: QSFP+ (2010 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | 4 × 10G VCSEL অ্যারে, চিপ-অন-বোর্ড | 4 × PIN অ্যারে |
| 40GBASE-LR4 | CWDM 1271–1331 nm-এ 4 × DFB, কুলিংবিহীন | 4 × PIN + ডিমাল্টিপ্লেক্সার |
| 40G PSM4 | 4 × 1310 nm DFB | 4 × PIN |
প্রথম ব্যাপক বাজারের প্যারালাল অপটিক্স; লেন্স অ্যারে ও MPO ফেরুলসহ বোর্ডে বসানো VCSEL অ্যারে পরবর্তী প্রতিটি SR4/SR8-এর ছাঁচ ঠিক করে দেয় (QSFP+, চিপ-অন-বোর্ড)।
100G: QSFP28 (2015 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | 4 × 25G VCSEL (COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4 / CLR4 | 4 × 25G DFB (DML), কুলিংবিহীন CWDM | 4 × PIN + ডিমাল্টিপ্লেক্সার |
| 100G PSM4 | 4 × 25G DFB অথবা একটি CW লেজার থেকে SiPh MZM | 4 × PIN (SiPh-এ Ge) |
| 100GBASE-LR4 / ER4 | LAN-WDM-এ 4 × 25G EML, কুলিংসহ | PIN / APD |
| 100GBASE-DR / FR / LR | 1 × 100G PAM4 EML বা SiPh | PIN, লিনিয়ার TIA + DSP |
| 100G DWDM / ZR-শ্রেণি | টিউনেবল + EML বা কোহেরেন্ট | APD / কোহেরেন্ট |
100G সেই প্রজন্ম, যেখানে সিলিকন ফোটনিক্স ব্যাপক উৎপাদনে আসে (PSM4, DR), আর দামের ধাপ ঠিক হয় কুলিংবিহীন DFB (CWDM4, 2 km) ও কুলিংযুক্ত EML (LR4, 10 km) এই দুইয়ের বিভাজনে (QSFP28)।
200G / 400G: QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4 / SR8 | 50G PAM4 VCSEL অ্যারে (COB) | PIN অ্যারে + DSP |
| 400GBASE-DR4 | 4 × 100G PAM4 EML বা SiPh MZM, 1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4 / LR4 | CWDM-এ 4 × 100G EML, কুলিংসহ | PIN |
| 400GBASE-FR8 / LR8 | LAN-WDM-এ 8 × 50G EML | PIN |
| 400ZR / ZR+ | টিউনেবল nano-ITLA + SiPh কোহেরেন্ট মডুলেটর | কোহেরেন্ট রিসিভার |
PAM4 প্রতিটি মডিউলে DSP যুক্ত করে দেয় এবং লেজারকে প্রতি লেনে 100G-তে ঠেলে নেয়, অর্থাৎ EML ও SiPh-এর এলাকায় (QSFP-DD, OSFP)।
800G ও 1.6T: OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 সাল থেকে)
| PMD | লেজার | ডিটেক্টর |
|---|---|---|
| 800G SR8 | 100G PAM4 VCSEL (VCSEL-এর সর্বোচ্চ সীমা) | PIN + DSP |
| 800G DR8 / 2×DR4 | 8 × 100G EML বা SiPh | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | CWDM-এ 8 × 100G EML | PIN |
| 1.6T DR8 (200G/লেন) | 200G PAM4 EML, SiPh, থিন-ফিল্ম লিথিয়াম নায়োবেট মডুলেটর | PIN + DSP |
| LPO সংস্করণ | একই লেজার, মডিউলে DSP নেই; ইকুয়ালাইজেশন করে হোস্ট | শুধু লিনিয়ার TIA |
সব প্রজন্মে দেখা যাওয়া প্রবণতা
- ডাইরেক্ট থেকে এক্সটার্নাল মডুলেশনে: ≤ 25G-এর জন্য DML, তার ওপরে EML/MZM।
- প্রতি লেনে একটি লেজার থেকে প্রতি মডিউলে একটি লেজারে: SiPh একটি CW উৎসকে সব লেনে ভাগ করে দেয়।
- হারমেটিক TO-ক্যান থেকে খোলা ডাইয়ে: প্যারালাল অপটিক্সে চিপ-অন-বোর্ড, সিঙ্গেল-মোডে SiPh ইন্টিগ্রেশন।
- রেট বাড়লে VCSEL-এর পাল্লা কমে: 1G-তে 550 m, 25G-তে 100 m, 100G-তে 50–100 m; ছোট ডেটা সেন্টার লিংকেও এখন সিঙ্গেল-মোড DR জায়গা নিচ্ছে।
- কোহেরেন্ট এখন প্লাগযোগ্য মডিউলে: ট্রান্সপোর্ট রিসিভার এখন একটি QSFP-DD-তেই ধরে যায়।
- পাওয়ার এখন নতুন সীমা: কুলিংযুক্ত EML, DSP ও ITLA 400G/800G মডিউলকে 15–20 W-এ নিয়ে যায়, আর তাই LPO ও কো-প্যাকেজড অপটিক্সের দিকে ঝোঁক বাড়ছে।
কোডিং ও ডায়াগনস্টিকসের জন্য এটি কেন প্রাসঙ্গিক
সুইচ শনাক্তকরণ তথ্যের যেসব বাইট পড়ে, অর্থাৎ তরঙ্গদৈর্ঘ্য, পাল্লা ও কমপ্লায়েন্স কোড, সেগুলো ভেতরের লেজারের পরোক্ষ নির্দেশক মাত্র। VCSEL SR4 মডিউলকে LR4 হিসেবে কোড করলে তার 850 nm লেজার বদলায় না; হোস্ট এমন সিঙ্গেল-মোড পাল্লা আশা করবে, যা মডিউল দিতে পারে না। আবার লেজারের ধরন অনুযায়ী DDM-এর বৈশিষ্ট্যও আলাদা: VCSEL-এর বায়াস কয়েক mA, আর EML-এর বায়াস কয়েক দশ mA, সঙ্গে একটি TEC; ফলে একটির জন্য “স্বাভাবিক” বায়াস মান অন্যটির জন্য অ্যালার্ম (লেজারের ধরন, রিসিভার)।
একই বিষয়ের সিগন্যাল প্রসেসিংয়ের দিক, অর্থাৎ লিমিটিং অ্যাম্প্লিফায়ার থেকে DSP, LPO ও কোহেরেন্ট পর্যন্ত: মডুলেশন ও DSP; প্যাকেজিংয়ের দিক: অপটিক্যাল প্যাকেজিং।