按封装形式与速率划分的激光器
模块内部使用哪种激光器,由两个因素决定——激光器必须调制的每通道速率,以及它必须覆盖的传输距离——这两者都随着每一代封装形式的演进而不断提高。本页梳理了每一步所用的激光器和接收机技术,从 1G GBIC 到 800G OSFP。
经验法则
| 传输距离 | 光纤 | 激光器 | 接收机 |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | 多模 | VCSEL 850 nm,直接调制 | PIN |
| 500 m – 2 km | 单模 | DFB(DML)或 SiPh 1310 nm | PIN |
| 10 km | 单模 | DFB(DML)最高到 10–25G;EML 用于每通道 50–100G | PIN |
| 40 km | 单模 | EML 1550 或 LAN-WDM,制冷型 | PIN 或 APD |
| 80 km+ | 单模 | EML + APD,或相干可调谐 | APD / 相干 |
速率的演进方向相同:10G 及以下,直接调制激光器足以胜任;到 25G,DML 已经勉强够用, EML/VCSEL-25G 随即接棒;每通道 50G PAM4 起,EML 或硅光调制器占主导;每通道 100G 以上,VCSEL 达到其上限。
逐代演进
1G——GBIC 与 SFP(1990 年代 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | 850 nm VCSEL | GaAs PIN |
| 1000BASE-LX | 1310 nm FP(后期采用 DFB) | InGaAs PIN |
| 1000BASE-EX / ZX | 1310 / 1550 nm DFB | PIN;80–120 km 的 ZX 上为 APD |
| CWDM SFP | 20 nm 网格上的未制冷 DFB | PIN,80 km+ 时为 APD |
FP 激光器的多模光谱在 1.25 Gb/s 下是可以接受的;VCSEL 让 1G 多模光模块的成本几乎可以忽略不计。参见 GBIC、 SFP。
10G——XFP、SFP+(2002 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | 850 nm 10G VCSEL | PIN |
| 10GBASE-LRM | 1310 nm FP/DFB + 主机侧 EDC | PIN |
| 10GBASE-LR | 1310 nm DFB,直接调制 | PIN |
| 10GBASE-ER | 1550 nm EML,制冷型 | PIN / APD |
| 10GBASE-ZR / 80 km | 1550 nm EML,制冷型 | APD |
| DWDM 10G,可调谐 | 制冷 DFB 或可调谐(DBR/ITLA)+ EML | APD |
从 10G 开始,EML 和 APD 成为超过 10 km 场景的标准配置,XFP 模块内 CDR 的方案也让位于 SFP+ 的主机侧方案(XFP、 SFP+)。
25G——SFP28(2015 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | 850 nm 25G VCSEL | PIN |
| 25GBASE-LR | 1310 nm 25G DFB(DML)或 EML | PIN |
| 25GBASE-ER | 1310 nm EML | APD |
RS-FEC 从 25G 开始引入,让更便宜的激光器也能在 FEC 前 BER 点上满足规范要求。
40G——QSFP+(2010 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | 4 × 10G VCSEL 阵列,板上芯片封装 | 4 × PIN 阵列 |
| 40GBASE-LR4 | CWDM 1271–1331 nm 上的 4 × DFB,未制冷 | 4 × PIN + 解复用器 |
| 40G PSM4 | 4 × 1310 nm DFB | 4 × PIN |
这是首个大规模量产的并行光模块;板上的 VCSEL 阵列配合透镜阵列和 MPO 插芯,为此后所有 SR4/SR8 确立了范式(QSFP+、 板上芯片封装)。
100G——QSFP28(2015 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | 4 × 25G VCSEL(COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4 / CLR4 | 4 × 25G DFB(DML),未制冷 CWDM | 4 × PIN + 解复用器 |
| 100G PSM4 | 4 × 25G DFB,或由一个 CW 激光器驱动的 SiPh MZM | 4 × PIN(SiPh 上的 Ge) |
| 100GBASE-LR4 / ER4 | LAN-WDM 上的 4 × 25G EML,制冷型 | PIN / APD |
| 100GBASE-DR / FR / LR | 1 × 100G PAM4 EML 或 SiPh | PIN,线性 TIA + DSP |
| 100G DWDM / ZR 级 | 可调谐 + EML,或相干 | APD / 相干 |
100G 是硅光开始批量生产的一代(PSM4、DR),未制冷 DFB(CWDM4,2 km)与制冷 EML(LR4,10 km)之间的分野,也从此定义了价格阶梯(QSFP28)。
200G / 400G——QSFP56、QSFP-DD、OSFP(2019 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4 / SR8 | 50G PAM4 VCSEL 阵列(COB) | PIN 阵列 + DSP |
| 400GBASE-DR4 | 4 × 100G PAM4 EML 或 SiPh MZM,1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4 / LR4 | CWDM 上的 4 × 100G EML,制冷型 | PIN |
| 400GBASE-FR8 / LR8 | LAN-WDM 上的 8 × 50G EML | PIN |
| 400ZR / ZR+ | 可调谐 nano-ITLA + SiPh 相干调制器 | 相干接收机 |
PAM4 让 DSP 成为每个模块的标配,并把激光器推向每通道 100G——这是 EML 和 SiPh 的领地(QSFP-DD、 OSFP)。
800G 与 1.6T——OSFP、QSFP-DD800、OSFP-XD(2022 → )
| PMD | 激光器 | 探测器 |
|---|---|---|
| 800G SR8 | 100G PAM4 VCSEL(VCSEL 的上限) | PIN + DSP |
| 800G DR8 / 2×DR4 | 8 × 100G EML 或 SiPh | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | CWDM 上的 8 × 100G EML | PIN |
| 1.6T DR8(每通道 200G) | 200G PAM4 EML、SiPh、薄膜铌酸锂调制器 | PIN + DSP |
| LPO 变体 | 激光器相同,模块内无 DSP——由主机均衡 | 仅线性 TIA |
跨代趋势
- 从直接调制到外部调制——≤ 25G 用 DML,更高速率用 EML/MZM。
- 从每通道一个激光器到每模块一个激光器——SiPh 将一个 CW 光源分配到各通道。
- 从密封 TO 管壳到裸芯片——并行光模块采用 板上芯片封装,单模模块采用 SiPh 集成。
- VCSEL 的传输距离随速率提高而缩短——1G 时为 550 m,25G 时为 100 m,100G 时为 50–100 m;就连短距数据中心链路也在被单模 DR 方案取代。
- 相干技术进入可插拔模块——传输级接收机如今可以装进一个 QSFP-DD。
- 功耗成为新的限制——制冷 EML、DSP 和 ITLA 把 400G/800G 模块的功耗推高到 15–20 W,推动了 LPO 和共封装光学的发展。
对编码和诊断意味着什么
交换机读取的识别字节——波长、传输距离、合规代码——是模块内部激光器的一个代理指标。把一个 VCSEL SR4 模块编码成 LR4,并不会改变它的 850 nm 激光器;主机仍会期望获得它无法提供的单模传输距离。而且不同激光器类型的 DDM 特征也不同——VCSEL 的偏置电流只有几 mA,EML 则是几十 mA 加上一个 TEC——因此对一种激光器“正常”的偏置值,对另一种可能就是告警(激光器类型、 接收机)。