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按封装形式与速率划分的激光器

模块内部使用哪种激光器,由两个因素决定——激光器必须调制的每通道速率,以及它必须覆盖的传输距离——这两者都随着每一代封装形式的演进而不断提高。本页梳理了每一步所用的激光器和接收机技术,从 1G GBIC 到 800G OSFP。

经验法则

传输距离光纤激光器接收机
≤ 100–500 m多模VCSEL 850 nm,直接调制PIN
500 m – 2 km单模DFB(DML)或 SiPh 1310 nmPIN
10 km单模DFB(DML)最高到 10–25G;EML 用于每通道 50–100GPIN
40 km单模EML 1550 或 LAN-WDM,制冷型PIN 或 APD
80 km+单模EML + APD,或相干可调谐APD / 相干

速率的演进方向相同:10G 及以下,直接调制激光器足以胜任;到 25G,DML 已经勉强够用, EML/VCSEL-25G 随即接棒;每通道 50G PAM4 起,EML 或硅光调制器占主导;每通道 100G 以上,VCSEL 达到其上限。

逐代演进

1G——GBIC 与 SFP(1990 年代 → )

PMD激光器探测器
1000BASE-SX850 nm VCSELGaAs PIN
1000BASE-LX1310 nm FP(后期采用 DFB)InGaAs PIN
1000BASE-EX / ZX1310 / 1550 nm DFBPIN;80–120 km 的 ZX 上为 APD
CWDM SFP20 nm 网格上的未制冷 DFBPIN,80 km+ 时为 APD

FP 激光器的多模光谱在 1.25 Gb/s 下是可以接受的;VCSEL 让 1G 多模光模块的成本几乎可以忽略不计。参见 GBIC、 SFP。

10G——XFP、SFP+(2002 → )

PMD激光器探测器
10GBASE-SR850 nm 10G VCSELPIN
10GBASE-LRM1310 nm FP/DFB + 主机侧 EDCPIN
10GBASE-LR1310 nm DFB,直接调制PIN
10GBASE-ER1550 nm EML,制冷型PIN / APD
10GBASE-ZR / 80 km1550 nm EML,制冷型APD
DWDM 10G,可调谐制冷 DFB 或可调谐(DBR/ITLA)+ EMLAPD

从 10G 开始,EML 和 APD 成为超过 10 km 场景的标准配置,XFP 模块内 CDR 的方案也让位于 SFP+ 的主机侧方案(XFP、 SFP+)。

25G——SFP28(2015 → )

PMD激光器探测器
25GBASE-SR850 nm 25G VCSELPIN
25GBASE-LR1310 nm 25G DFB(DML)或 EMLPIN
25GBASE-ER1310 nm EMLAPD

RS-FEC 从 25G 开始引入,让更便宜的激光器也能在 FEC 前 BER 点上满足规范要求。

40G——QSFP+(2010 → )

PMD激光器探测器
40GBASE-SR44 × 10G VCSEL 阵列,板上芯片封装4 × PIN 阵列
40GBASE-LR4CWDM 1271–1331 nm 上的 4 × DFB,未制冷4 × PIN + 解复用器
40G PSM44 × 1310 nm DFB4 × PIN

这是首个大规模量产的并行光模块;板上的 VCSEL 阵列配合透镜阵列和 MPO 插芯,为此后所有 SR4/SR8 确立了范式(QSFP+、 板上芯片封装)。

100G——QSFP28(2015 → )

PMD激光器探测器
100GBASE-SR44 × 25G VCSEL(COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × 25G DFB(DML),未制冷 CWDM4 × PIN + 解复用器
100G PSM44 × 25G DFB,或由一个 CW 激光器驱动的 SiPh MZM4 × PIN(SiPh 上的 Ge)
100GBASE-LR4 / ER4LAN-WDM 上的 4 × 25G EML,制冷型PIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × 100G PAM4 EML 或 SiPhPIN,线性 TIA + DSP
100G DWDM / ZR 级可调谐 + EML,或相干APD / 相干

100G 是硅光开始批量生产的一代(PSM4、DR),未制冷 DFB(CWDM4,2 km)与制冷 EML(LR4,10 km)之间的分野,也从此定义了价格阶梯(QSFP28)。

200G / 400G——QSFP56、QSFP-DD、OSFP(2019 → )

PMD激光器探测器
200G/400G SR4 / SR850G PAM4 VCSEL 阵列(COB)PIN 阵列 + DSP
400GBASE-DR44 × 100G PAM4 EML 或 SiPh MZM,1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR4CWDM 上的 4 × 100G EML,制冷型PIN
400GBASE-FR8 / LR8LAN-WDM 上的 8 × 50G EMLPIN
400ZR / ZR+可调谐 nano-ITLA + SiPh 相干调制器相干接收机

PAM4 让 DSP 成为每个模块的标配,并把激光器推向每通道 100G——这是 EML 和 SiPh 的领地(QSFP-DD、 OSFP)。

800G 与 1.6T——OSFP、QSFP-DD800、OSFP-XD(2022 → )

PMD激光器探测器
800G SR8100G PAM4 VCSEL(VCSEL 的上限)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × 100G EML 或 SiPhPIN + DSP
800G 2×FR4CWDM 上的 8 × 100G EMLPIN
1.6T DR8(每通道 200G)200G PAM4 EML、SiPh、薄膜铌酸锂调制器PIN + DSP
LPO 变体激光器相同,模块内无 DSP——由主机均衡仅线性 TIA

跨代趋势

  1. 从直接调制到外部调制——≤ 25G 用 DML,更高速率用 EML/MZM。
  2. 从每通道一个激光器到每模块一个激光器——SiPh 将一个 CW 光源分配到各通道。
  3. 从密封 TO 管壳到裸芯片——并行光模块采用 板上芯片封装,单模模块采用 SiPh 集成。
  4. VCSEL 的传输距离随速率提高而缩短——1G 时为 550 m,25G 时为 100 m,100G 时为 50–100 m;就连短距数据中心链路也在被单模 DR 方案取代。
  5. 相干技术进入可插拔模块——传输级接收机如今可以装进一个 QSFP-DD。
  6. 功耗成为新的限制——制冷 EML、DSP 和 ITLA 把 400G/800G 模块的功耗推高到 15–20 W,推动了 LPO 和共封装光学的发展。

对编码和诊断意味着什么

交换机读取的识别字节——波长、传输距离、合规代码——是模块内部激光器的一个代理指标。把一个 VCSEL SR4 模块编码成 LR4,并不会改变它的 850 nm 激光器;主机仍会期望获得它无法提供的单模传输距离。而且不同激光器类型的 DDM 特征也不同——VCSEL 的偏置电流只有几 mA,EML 则是几十 mA 加上一个 TEC——因此对一种激光器“正常”的偏置值,对另一种可能就是告警(激光器类型、 接收机)。

同一主题中信号处理的部分——从限幅放大器到 DSP、LPO 和相干技术——见 调制与 DSP;封装部分见 光学封装。


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