Laser berdasarkan faktor bentuk dan laju data · Di dalam modul: laser dan penerima · Transceiver optik dan kabel · Dokumentasi · CodingBox
CodingBox Dokumentasi

Laser berdasarkan faktor bentuk dan laju data

Laser mana yang berada di dalam modul ditentukan oleh dua hal — rate per lane yang harus dimodulasi oleh laser dan jangkauan yang harus dicakupnya — dan keduanya terus meningkat pada setiap generasi faktor bentuk. Halaman ini memetakan teknologi laser dan penerima yang dipakai pada setiap tahap, dari GBIC 1G hingga OSFP 800G.

Aturan praktis

JangkauanSerat optikLaserPenerima
≤ 100–500 mmultimodeVCSEL 850 nm, modulasi langsungPIN
500 m – 2 kmsingle-modeDFB (DML) atau SiPh 1310 nmPIN
10 kmsingle-modeDFB (DML) hingga 10–25G; EML pada 50–100G per lanePIN
40 kmsingle-modeEML 1550 atau LAN-WDM, didinginkanPIN atau APD
80 km+single-modeEML + APD, atau koheren yang dapat disetelAPD / koheren

Rate mendorong ke arah yang sama: hingga 10G, laser yang dimodulasi langsung masih memadai; pada 25G, DML sudah marginal dan EML/VCSEL-25G mengambil alih; mulai 50G PAM4 per lane, modulator EML atau silicon-photonics mendominasi; pada 100G+ per lane, VCSEL mencapai batas atasnya.

Generasi demi generasi

1G — GBIC dan SFP (tahun 1990-an → )

PMDLaserDetektor
1000BASE-SX850 nm VCSELGaAs PIN
1000BASE-LX1310 nm FP (belakangan DFB)InGaAs PIN
1000BASE-EX / ZX1310 / 1550 nm DFBPIN; APD pada ZX 80–120 km
CWDM SFPDFB tanpa pendinginan pada grid 20 nmPIN, APD pada 80 km+

Spektrum multimode laser FP masih dapat diterima pada 1,25 Gb/s; VCSEL membuat optik multimode 1G nyaris tanpa biaya. Lihat GBIC, SFP.

10G — XFP, SFP+ (2002 → )

PMDLaserDetektor
10GBASE-SR850 nm 10G VCSELPIN
10GBASE-LRM1310 nm FP/DFB + EDC hostPIN
10GBASE-LR1310 nm DFB, modulasi langsungPIN
10GBASE-ER1550 nm EML, didinginkanPIN / APD
10GBASE-ZR / 80 km1550 nm EML, didinginkanAPD
DWDM 10G, yang dapat disetelDFB didinginkan atau yang dapat disetel (DBR/ITLA) + EMLAPD

10G adalah titik di mana EML dan APD menjadi standar untuk jangkauan di atas 10 km, dan di mana CDR di dalam modul milik XFP digantikan oleh desain sisi host milik SFP+ (XFP, SFP+).

25G — SFP28 (2015 → )

PMDLaserDetektor
25GBASE-SR850 nm 25G VCSELPIN
25GBASE-LR1310 nm 25G DFB (DML) atau EMLPIN
25GBASE-ER1310 nm EMLAPD

RS-FEC hadir bersama 25G, memungkinkan laser yang lebih murah memenuhi spesifikasi pada titik BER pre-FEC.

40G — QSFP+ (2010 → )

PMDLaserDetektor
40GBASE-SR44 × 10G VCSEL array, chip-on-board4 × PIN array
40GBASE-LR44 × DFB pada CWDM 1271–1331 nm, tanpa pendinginan4 × PIN + demux
40G PSM44 × 1310 nm DFB4 × PIN

Optik paralel pasar massal pertama; VCSEL array pada papan dengan lens array dan ferrule MPO menetapkan pola yang diikuti oleh setiap SR4/SR8 sejak saat itu (QSFP+, Chip-on-board).

100G — QSFP28 (2015 → )

PMDLaserDetektor
100GBASE-SR44 × 25G VCSEL (COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × 25G DFB (DML), CWDM tanpa pendinginan4 × PIN + demux
100G PSM44 × 25G DFB atau SiPh MZM dari satu laser CW4 × PIN (Ge pada SiPh)
100GBASE-LR4 / ER44 × 25G EML pada LAN-WDM, didinginkanPIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × 100G PAM4 EML atau SiPhPIN, TIA linear + DSP
100G DWDM / kelas ZRyang dapat disetel + EML atau koherenAPD / koheren

100G adalah generasi di mana silicon photonics memasuki produksi volume (PSM4, DR) dan di mana pemisahan antara DFB tanpa pendinginan (CWDM4, 2 km) dan EML yang didinginkan (LR4, 10 km) menentukan tingkatan harga (QSFP28).

200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )

PMDLaserDetektor
200G/400G SR4 / SR850G PAM4 VCSEL array (COB)PIN array + DSP
400GBASE-DR44 × 100G PAM4 EML atau SiPh MZM, 1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR44 × 100G EML pada CWDM, didinginkanPIN
400GBASE-FR8 / LR88 × 50G EML pada LAN-WDMPIN
400ZR / ZR+nano-ITLA yang dapat disetel + modulator koheren SiPhpenerima koheren

PAM4 menjadikan DSP bagian dari setiap modul dan mendorong laser hingga 100G per lane — wilayah EML dan SiPh (QSFP-DD, OSFP).

800G dan 1.6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )

PMDLaserDetektor
800G SR8100G PAM4 VCSEL (batas atas VCSEL)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × 100G EML atau SiPhPIN + DSP
800G 2×FR48 × 100G EML pada CWDMPIN
1.6T DR8 (200G/lane)200G PAM4 EML, SiPh, modulator thin-film lithium niobatePIN + DSP
Varian LPOlaser yang sama, tanpa DSP modul — host melakukan ekualisasihanya TIA linear

Tren lintas generasi

  1. Dari modulasi langsung ke modulasi eksternal — DML untuk ≤ 25G, EML/MZM di atasnya.
  2. Dari satu laser per lane menjadi satu laser per modul — SiPh membagi satu sumber CW ke seluruh lane.
  3. Dari TO-can hermetis ke die telanjang — chip-on-board untuk optik paralel, integrasi SiPh untuk single-mode.
  4. Jangkauan VCSEL menyusut seiring naiknya rate — 550 m pada 1G, 100 m pada 25G, 50–100 m pada 100G; DR single-mode kini mengambil alih bahkan pada link pusat data pendek.
  5. Koheren merambah ke pluggable — penerima transport kini muat dalam satu QSFP-DD.
  6. Daya menjadi batasan baru — EML, DSP, dan ITLA yang didinginkan mendorong modul 400G/800G hingga 15–20 W, mendorong penggunaan LPO dan co-packaged optics.

Mengapa ini penting untuk pengodean dan diagnostik

Byte identitas yang dibaca oleh switch — panjang gelombang, jangkauan, kode kepatuhan — menjadi proxy bagi laser di dalamnya. Mengodekan modul VCSEL SR4 sebagai LR4 tidak mengubah laser 850 nm-nya; host akan mengharapkan jangkauan single-mode yang tidak dapat diberikan oleh modul tersebut. Dan ciri khas DDM berbeda menurut jenis laser — bias beberapa mA milik VCSEL dibandingkan puluhan mA milik EML ditambah TEC — sehingga nilai bias yang “normal” untuk satu jenis menjadi alarm untuk yang lain (Jenis laser, Penerima).

Sisi pemrosesan sinyal dari cerita yang sama — dari penguat pembatas hingga DSP, LPO, dan koheren — ada di Modulasi & DSP; sisi kemasannya ada di Kemasan optik.


Jika Anda menemukan ketidakakuratan atau kesalahan dalam artikel ini, pilih bagian teks yang bersangkutan lalu tekan Ctrl+Enter untuk .