Chẩn đoán theo từng làn: QSFP và CMIS
Một module bốn hoặc tám làn chỉ có một nhiệt độ và một nguồn — nhưng có bốn hoặc tám laser và bộ thu, mỗi cái với dòng phân cực, công suất Tx và công suất Rx riêng. Vì vậy chẩn đoán cho các module lớp QSFP và CMIS được tổ chức theo từng làn, và lỗi ẩn kinh điển là một làn đơn lẻ đang suy giảm trong khi tổng thể module vẫn trông bình thường.
SFF-8636 (QSFP+, QSFP28)
Mọi thứ nằm ở một địa chỉ hai dây duy nhất với bộ nhớ phân trang (SFF-8636). Đơn vị giống như SFF-8472.
Trang thấp — giá trị trực tiếp và các cờ
| Byte | Nội dung |
|---|---|
| 3 | Tx LOS (bit 7–4) / Rx LOS (bit 3–0) theo từng làn |
| 4 | lỗi Tx adaptive-EQ / lỗi Tx theo từng làn |
| 5 | Tx LOL / Rx LOL theo từng làn — xem CDR |
| 6–7 | cờ báo động/cảnh báo nhiệt độ và Vcc |
| 9–14 | cờ báo động/cảnh báo công suất Rx, dòng phân cực Tx và công suất Tx theo từng làn |
| 22–23 | nhiệt độ module |
| 26–27 | Vcc của module |
| 34–41 | công suất Rx, làn 1–4 (2 byte mỗi làn) |
| 42–49 | dòng phân cực Tx, làn 1–4 |
| 50–57 | công suất Tx, làn 1–4 |
Trang cao 03h — ngưỡng: module (nhiệt độ, Vcc) tại byte 128–175, kênh (công suất Rx, dòng phân cực Tx, công suất Tx) tại 176–223. Việc giám sát công suất Tx có được hiện thực hay không được công bố ở byte 220 của trang cao 00h — nhiều module 40G chỉ báo cáo Rx.
CMIS (QSFP-DD, OSFP, QSFP112, SFP-DD)
CMIS tách riêng dữ liệu cấp module và cấp làn, mở rộng tới tám làn (dùng bank cho nhiều hơn):
| Vị trí | Nội dung |
|---|---|
| Byte 8–13 của trang thấp | cờ cấp module |
| Byte 14–25 của trang thấp | giám sát module: nhiệt độ (14–15), Vcc (16–17), phụ trợ 1–3 |
| Trang 02h | ngưỡng của module và của làn |
| Byte 134–153 của trang 11h | cờ của làn (LOS, LOL, lỗi Tx, báo động công suất/bias) |
| Byte 154–169 của trang 11h | công suất Tx, làn 1–8 |
| Byte 170–185 của trang 11h | dòng phân cực Tx, làn 1–8 (với hệ số tỷ lệ được công bố ở trang 01h) |
| Byte 186–201 của trang 11h | công suất Rx, làn 1–8 |
Có những giám sát nào được công bố ở trang 01h (byte 160 cho dòng phân cực Tx/công suất Tx/công suất Rx, nhiệt độ và Vcc), nhờ đó một host — hoặc CodingBox — biết nên tin trường nào.
Giám sát chẩn đoán đa năng (VDM)
CMIS bổ sung một lớp tùy chọn nằm ngoài các giám sát analog: VDM trên các trang 20h–2Fh (bộ mô tả ở 20h–27h, mẫu đo ở 28h–2Fh). Các đại lượng quan sát được công bố theo từng module và có thể gồm:
- tỷ lệ lỗi bit trước FEC và số lỗi FEC theo từng làn, phía host và phía media;
- SNR của giao diện điện (host) và giao diện quang (media);
- nhiệt độ laser và các giá trị khác đặc thù theo module;
- các cờ với ngưỡng riêng của chúng.
BER trước FEC là cảnh báo sớm nhất trên một liên kết PAM4: nó tăng lên rất lâu trước khi FEC ngừng sửa được lỗi, trong khi công suất Rx có thể vẫn trông bình thường. Trên các fabric 400G/800G, đây là chỉ số cần theo dõi xu hướng (Cụm AI).
Đọc đúng dữ liệu nhiều làn
- So sánh các làn với nhau. Một làn thấp hơn các làn còn lại 3 dB là một lỗi, kể cả khi cả bốn làn đều “trong dải”.
- Kiểm tra dòng phân cực theo từng làn — một laser lão hóa nhanh hơn các laser khác sẽ lộ ra ở đây đầu tiên.
- Lưu ý với breakout. Một module 4×25G được tách thành bốn liên kết: một làn hỏng nghĩa là một trong bốn liên kết bị hỏng, không phải là “module kém đi 25%”.
- LOL/LOS cũng theo từng làn; một LOL ở một làn đơn lẻ trên liên kết nhiều làn là sự cố CDR hoặc tín hiệu đầu vào trên làn đó.
Trong CodingBox
Màn hình DDM hiển thị công suất Rx, công suất Tx và dòng phân cực theo từng làn cùng ngưỡng riêng cho từng làn, và ghi lại chúng theo thời gian — góc nhìn bắt được lỗi một làn đơn lẻ mà LACP che giấu (Hỏng hóc). Với module CMIS, EEPROM editor hiển thị thêm trang 11h và trạng thái module bên cạnh.
Danh sách đầy đủ các đại lượng quan sát của VDM, định dạng F16 và cách đọc BER trước FEC cùng với bộ đếm FEC của host: Chỉ số VDM và FEC.