ค่า DDM ทั่วไปตามประเภทโมดูล

ค่าที่อ่านได้จาก DDM จะมีความหมายก็ต่อเมื่อเทียบกับค่าที่คาดไว้เท่านั้น “Rx −12 dBm” ถือว่ายอดเยี่ยมสำหรับโมดูล ZR ระยะ 80 km แต่น่าตกใจสำหรับโมดูล SR ระยะ 300 m เพจนี้รวบรวมช่วงค่าที่คาดไว้ต่อชนิดอินเทอร์เฟซ ได้แก่ กำลังส่ง, หน้าต่างกำลังรับ, กระแสไบอัส, อุณหภูมิ โดยดึงมาจากข้อกำหนดของ IEEE/ITU/MSA และดาต้าชีตทั่วไป ใช้เพจนี้เพื่อประเมินค่าที่อ่านได้ก่อนที่คุณจะมีค่าฐานของตัวเอง ค่าทั้งหมดเป็นกำลังแสงเฉลี่ยหน่วย dBm ตามที่ DDM รายงาน ไม่ใช่ OMA ส่วนความไวตามข้อกำหนดที่ระบุเป็น OMA ได้ถูกแปลงมาโดยประมาณแล้ว

Ethernet เลนเดียว (คลาส SFP)

อินเทอร์เฟซ	ระยะส่ง	λ, nm	กำลังส่ง, dBm	หน้าต่าง Rx (ความไว … โอเวอร์โหลด), dBm	ไบอัส, mA (ทั่วไป)
1000BASE-SX	550 m MMF	850	−9.5 … 0	−17 … 0	4–8 (VCSEL)
1000BASE-LX	10 km	1310	−9.5 … −3	−20 … −3	15–35 (FP/DFB)
1000BASE-EX (MSA)	40 km	1310	−3 … +2	−23 … −3	30–60
1000BASE-ZX (MSA)	80 km	1550	0 … +5	−24 … −3	40–80
1000BASE-BX10 U/D	10 km, ใยแก้วนำแสง 1 เส้น	1310 / 1490	−9 … −3	−19.5 … −3	15–35
10GBASE-SR	300 m OM3	850	−7.3 … −1	−11 … −1	5–9 (VCSEL)
10GBASE-LRM	220 m MMF	1310	−6.5 … +0.5	−8.5 … +0.5	20–40
10GBASE-LR	10 km	1310	−8.2 … +0.5	−14.4 … +0.5	20–50 (DFB)
10GBASE-ER	40 km	1550	−4.7 … +4	−15.8 … −1	40–80 (มักเป็น EML ที่มี TEC)
10GBASE-ZR (MSA)	80 km	1550	0 … +4	−24 … −7 (APD)	50–90
10G CWDM (MSA)	40 / 80 km	1270–1610	0 … +5	−18 … −1 / −24 … −7	40–80
10G DWDM (MSA)	80 km	C-band	0 … +4	−24 … −7 (APD)	60–100, มี TEC
25GBASE-SR	100 m OM4	850	−8.4 … +2.4	−10.3 … +2.4	5–9
25GBASE-LR	10 km	1310	−7 … +2	−12 … +2	25–55
10G/25G BiDi (MSA)	10–40 km	1270 / 1330	−5 … +2	−15 … 0	25–55

Ethernet หลายเลน (คลาส QSFP ต่อเลน)

อินเทอร์เฟซ	เลน	Tx ต่อเลน, dBm	Rx ต่อเลน, dBm	หมายเหตุ
40GBASE-SR4	4 × 10G, 850 nm	−7.6 … +2.4	−9.9 … +2.4	อาร์เรย์ VCSEL, ไบอัส 5–9 mA ต่อเลน
40GBASE-LR4	4 × 10G LAN-WDM	−7 … +2.3	−13.7 … +2.3	1271–1331 nm, DFB
100GBASE-SR4	4 × 25G, 850 nm	−8.4 … +2.4	−10.3 … +2.4	70 m OM3 / 100 m OM4
100GBASE-LR4	4 × 25G LAN-WDM	−4.3 … +4.5	−10.6 … +4.5	1295–1310 nm, DFB มี TEC หรือไม่มี TEC
100G CWDM4 (MSA)	4 × 25G CWDM	−6.5 … +2.5	−11.5 … +2.5	1271–1331 nm, 2 km
100G PSM4 (MSA)	4 × 25G, 1310 nm	−6 … +3	−11 … +3	SMF ขนาน, MPO
100GBASE-DR / 400GBASE-DR4	100G PAM4 ต่อเลน	−2.9 … +4	−5.9 … +4	500 m หน้าต่างแคบ แทบไม่ต้องใช้ตัวลดทอนสัญญาณ แต่ใกล้โอเวอร์โหลด
400GBASE-FR4	4 × 100G PAM4 CWDM	−3.3 … +3.5	−7.3 … +3.5	2 km
400GBASE-LR4-6 / LR4-10	4 × 100G PAM4	−2.5 … +3.5	−9 … +3.5	6 / 10 km
800G DR8 / 2×FR4	8 × 100G PAM4	−2.9 … +4	−5.9 … +4	เหมือน DR4 ต่อเลน

ตัวรับ PAM4 มีหน้าต่างแคบ (≈ 10 dB) เมื่อเทียบกับ NRZ (15–20 dB) ทั้งคอนเนกเตอร์สกปรกและลิงก์ที่สั้นเกินไปสามารถผลักค่าให้หลุดช่วงนี้ได้

การเข้าถึง สตอเรจ และแฟบริก

อินเทอร์เฟซ	ฝั่ง	Tx, dBm	Rx, dBm	หมายเหตุ
GPON คลาส B+	OLT (ขาลง 1490)	+1.5 … +5	−28 … −8 (ขาขึ้น 1310, เบิร์สต์)	ค่า Rx ของ OLT จาก DDM เป็นค่าเฉลี่ยแบบเบิร์สต์ ให้ใช้ตัวเลขต่อ ONU แต่ละตัวแทน
GPON คลาส B+	ONU (ขาขึ้น 1310)	+0.5 … +5	−27 … −8	ค่า Rx ของ ONU คือตัวเลขที่สำคัญจริงในหน้างาน
GPON คลาส C+	OLT / ONU	+3 … +7 / +0.5 … +5	−32 … −12 / −30 … −8	งบประมาณเพิ่มขึ้น 4 dB
XGS-PON N1	OLT (1577) / ONU (1270)	+2 … +6 / +4 … +9	−28 … −9 / −28 … −9	—
8/16/32GFC SW	850 nm MMF	−8 … +2	−10 … +2	ตามข้อกำหนด PI ของ Fibre Channel
16/32GFC LW	1310 nm 10 km	−5 … +2	−12 … +2	—
ออปติกของ InfiniBand EDR/HDR/NDR	เหมือน PMD ของ 100G/200G/400G Ethernet	ดูด้านบน	ดูด้านบน	ส่วนประกอบเดียวกัน โพรโทคอลต่างกัน
AOC (ทุกอัตราเร็ว)	แต่ละปลาย	−6 … +1 (VCSEL ภายใน)	−8 … +1	มี DDM ทั้งสองปลาย แต่ค่าที่วัดได้เป็นค่า “ภายใน” และแทบใช้วินิจฉัยอะไรไม่ได้
DAC แบบพาสซีฟ	—	ไม่มี	ไม่มี	ไม่มี A2h มีแค่ข้อมูลระบุตัวตน
1000BASE-T / 10GBASE-T SFP	—	ไม่มี	ไม่มี	มีแค่อุณหภูมิ (และบางครั้งมี Vcc)

รายละเอียดเฉพาะของ PON: ทรานซีฟเวอร์ของ PON, ปัญหาของ PON

กระแสไบอัสตามชนิดเลเซอร์

เลเซอร์	ไบอัสทั่วไป	กระแสค่าเกณฑ์	พฤติกรรม
VCSEL 850 nm	4–9 mA	~1 mA	ไบอัสต่ำมาก เพิ่มขึ้นช้า ๆ ตามอายุ มีอาการพลิกกลับจากความร้อนที่อุณหภูมิสูง
FP 1310 nm	15–40 mA	5–10 mA	ราคาถูก ใช้ใน 1G LX/PON มีอาการกระโดดโหมด
DFB 1310/1550 ไม่มี TEC	20–60 mA	8–15 mA	10G LR/ER, CWDM ไบอัสไต่ขึ้น ~1 %/°C
DFB ที่มี TEC / DWDM	40–100 mA	10–20 mA	TEC รักษาอุณหภูมิไว้ ไบอัสคงที่ ส่วนกระแส TEC ผันแปร
EML (10G ER/ZR, 100G+ LR)	40–100 mA	—	DDM รายงานไบอัสของส่วน DFB เท่านั้น ไม่แสดงไบอัสของมอดูเลเตอร์
แหล่งกำเนิด CW แบบซิลิคอนโฟโตนิกส์ (DR4/FR4)	60–150 mA	—	เลเซอร์ตัวเดียวที่ใช้ร่วมกัน ฟิลด์ไบอัสอาจสะท้อนค่าเดียวกันไปทุกเลน

เหตุใดไบอัสจึงสำคัญมากกว่าค่าสัมบูรณ์ของมัน: ไบอัส Tx และการเสื่อมสภาพของเลเซอร์

อุณหภูมิและแรงดันไฟ

พารามิเตอร์	ปกติ	เฝ้าระวัง	หมายเหตุ
อุณหภูมิโมดูล	25–55 °C ในสวิตช์, 20–35 °C บนโต๊ะทดสอบ	> 65 °C	ชิ้นส่วนเชิงพาณิชย์มีพิกัดอุณหภูมิเคส 0–70 °C ดู อุณหภูมิและแรงดันไฟเลี้ยง
Vcc	3.20–3.40 V	< 3.13 หรือ > 3.47 V	ข้อกำหนดคือ 3.3 V ± 5 %
อุณหภูมิเลเซอร์ (แบบมี TEC)	จุดตั้งค่า มักอยู่ที่ 25–45 °C	ดริฟต์ > ±1 °C	รายงานในไบต์เสริม A2h 106–107 / CMIS Aux
กระแส TEC	±20–60 % ของค่าสูงสุด	ใกล้ ±100 %	เครื่องหมายบอกว่ากำลังให้ความร้อนหรือความเย็น

วิธีใช้ตารางเหล่านี้

ระบุชนิดอินเทอร์เฟซจากรหัสของโมดูล (Check transceiver) ไม่ใช่จากฉลาก
เทียบTxกับคอลัมน์ Tx ถ้าต่ำกว่าช่วง → เลเซอร์กำลังจางลงหรือเป็นค่าคงที่ปลอม (ระดับค่า DDM)
เทียบRxกับหน้าต่างค่า ถ้าต่ำกว่า → ปัญหาเรื่องงบประมาณ ถ้าสูงกว่า → ต้องลดทอนสัญญาณ (กำลังรับ (Rx) และงบประมาณลิงก์)
เทียบไบอัสกับชนิดเลเซอร์ และจะดีกว่านั้นคือเทียบกับประวัติของโมดูลตัวเอง
อย่าลืมความแม่นยำ ±3 dB ของ DDM (ความแม่นยำและข้อจำกัด) ค่าที่อ่านได้เกินขอบหน้าต่าง 1 dB ยังสรุปอะไรไม่ได้

ค่าต่าง ๆ ในเพจนี้เป็นช่วงค่าทั่วไป ไม่ใช่การรับประกัน ดาต้าชีตของโมดูลรุ่นนั้น ๆ และตาราง IEEE/MSA สำหรับ PMD คือแหล่งอ้างอิงที่ถูกต้องที่สุด (ข้อมูลอ้างอิง PMD)

ที่มาของตัวเลขในดาต้าชีตที่อยู่เบื้องหลังค่าเหล่านี้ และวิธีเทียบ min/typ/max ระหว่างผู้ผลิต: การอ่านดาต้าชีต

หากพบข้อมูลที่ไม่ถูกต้องหรือข้อผิดพลาดในบทความนี้ ให้เลือกข้อความส่วนนั้นแล้วกด Ctrl+Enter เพื่อ