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各類模組的 DDM 典型值

DDM 讀數只有對照預期才有意義。同樣是「Rx −12 dBm」,對 80 km 的 ZR 模組而言表現優異,對 300 m 的 SR 模組而言卻是警報。本頁按介面類型彙總預期區間(發射功率、接收窗口、偏置電流、溫度),數據取自 IEEE/ITU/MSA 規範和典型規格書。在你積累起自己的基準之前,可用它來判斷一次讀數是否正常。所有數值均為 DDM 所報告的平均光功率(dBm),而非 OMA;規範中以 OMA 給出的靈敏度已作近似換算。

單通道以太網(SFP 類)

介面傳輸距離λ, nmTx 功率, dBmRx 窗口(靈敏度…過載), dBm偏置電流, mA(典型值)
1000BASE-SX550 m MMF850−9.5 … 0−17 … 04–8 (VCSEL)
1000BASE-LX10 km1310−9.5 … −3−20 … −315–35 (FP/DFB)
1000BASE-EX (MSA)40 km1310−3 … +2−23 … −330–60
1000BASE-ZX (MSA)80 km15500 … +5−24 … −340–80
1000BASE-BX10 U/D10 km,1 根光纖1310 / 1490−9 … −3−19.5 … −315–35
10GBASE-SR300 m OM3850−7.3 … −1−11 … −15–9 (VCSEL)
10GBASE-LRM220 m MMF1310−6.5 … +0.5−8.5 … +0.520–40
10GBASE-LR10 km1310−8.2 … +0.5−14.4 … +0.520–50 (DFB)
10GBASE-ER40 km1550−4.7 … +4−15.8 … −140–80(多為製冷型 EML)
10GBASE-ZR (MSA)80 km15500 … +4−24 … −7 (APD)50–90
10G CWDM (MSA)40 / 80 km1270–16100 … +5−18 … −1 / −24 … −740–80
10G DWDM (MSA)80 kmC 波段0 … +4−24 … −7 (APD)60–100,製冷型(TEC)
25GBASE-SR100 m OM4850−8.4 … +2.4−10.3 … +2.45–9
25GBASE-LR10 km1310−7 … +2−12 … +225–55
10G/25G BiDi (MSA)10–40 km1270 / 1330−5 … +2−15 … 025–55

多通道以太網(QSFP 類,每通道)

介面通道數每通道 Tx,dBm每通道 Rx,dBm說明
40GBASE-SR44 × 10G, 850 nm−7.6 … +2.4−9.9 … +2.4VCSEL 陣列,各通道偏置電流 5–9 mA
40GBASE-LR44 × 10G LAN-WDM−7 … +2.3−13.7 … +2.31271–1331 nm,DFB
100GBASE-SR44 × 25G, 850 nm−8.4 … +2.4−10.3 … +2.470 m OM3 / 100 m OM4
100GBASE-LR44 × 25G LAN-WDM−4.3 … +4.5−10.6 … +4.51295–1310 nm,製冷或非製冷 DFB
100G CWDM4 (MSA)4 × 25G CWDM−6.5 … +2.5−11.5 … +2.51271–1331 nm,2 km
100G PSM4 (MSA)4 × 25G, 1310 nm−6 … +3−11 … +3並行 SMF,MPO
100GBASE-DR / 400GBASE-DR4每通道 100G PAM4−2.9 … +4−5.9 … +4500 m;窗口較窄,通常無需衰減器,但已接近過載
400GBASE-FR44 × 100G PAM4 CWDM−3.3 … +3.5−7.3 … +3.52 km
400GBASE-LR4-6 / LR4-104 × 100G PAM4−2.5 … +3.5−9 … +3.56 / 10 km
800G DR8 / 2×FR48 × 100G PAM4−2.9 … +4−5.9 … +4與 DR4 每通道相同

PAM4 接收器的窗口更窄(≈ 10 dB),相比之下 NRZ 為 15–20 dB:連接器不潔和鏈路過短都可能使讀數落到窗口之外。

接入、儲存與互連網絡

介面Tx, dBmRx, dBm說明
GPON class B+OLT(1490 下行)+1.5 … +5−28 … −8 (1310 上行,突發)OLT 的 DDM Rx 讀數是突發平均值,請使用逐 ONU 的數值
GPON class B+ONU(1310 上行)+0.5 … +5−27 … −8現場真正重要的是 ONU 的 Rx 數值
GPON class C+OLT / ONU+3 … +7 / +0.5 … +5−32 … −12 / −30 … −8預算多 4 dB
XGS-PON N1OLT (1577) / ONU (1270)+2 … +6 / +4 … +9−28 … −9 / −28 … −9
8/16/32GFC SW850 nm MMF−8 … +2−10 … +2依據 Fibre Channel PI
16/32GFC LW1310 nm 10 km−5 … +2−12 … +2
InfiniBand EDR/HDR/NDR 光模組相當於 100G/200G/400G 以太網 PMD見上文見上文器件相同,協議不同
AOC(任意速率)兩端−6 … +1(內部 VCSEL)−8 … +1兩端均有 DDM,讀數為「內部」值,診斷意義有限
無源 DAC無 A2h;僅有身份資訊
1000BASE-T / 10GBASE-T SFP僅有溫度(有時含 Vcc)

PON 詳情參見 PON 光模組PON 故障

按激光器類型劃分的偏置電流

激光器典型偏置電流閾值電流特性
850 nm VCSEL4–9 mA~1 mA偏置電流很低;隨老化緩慢上升;高溫下出現熱翻轉
1310 nm FP15–40 mA5–10 mA廉價的 1G LX/PON 方案;存在模式跳變
1310/1550 非製冷 DFB20–60 mA8–15 mA10G LR/ER、CWDM;偏置電流約以 1 %/°C 攀升
製冷型 DFB / DWDM40–100 mA10–20 mATEC 維持溫度;偏置電流穩定,TEC 電流隨之變化
EML(10G ER/ZR、100G+ LR)40–100 mADDM 報告的是 DFB 部分的偏置電流;調制器偏置不會顯示
矽光子 CW 光源(DR4/FR4)60–150 mA多通道共用一個激光器;偏置欄位可能在所有通道上鏡像顯示

為何偏置電流的變化趨勢比絕對值更重要:Tx 偏置電流與激光器老化

溫度與電壓

參數正常範圍警戒範圍說明
模組溫度交換機內 25–55 °C,實驗台上 20–35 °C> 65 °C商用級器件的外殼溫度額定範圍為 0–70 °C;參見 溫度與電壓
Vcc3.20–3.40 V< 3.13 或 > 3.47 V規範值為 3.3 V ± 5 %
激光器溫度(製冷型)設定點,通常為 25–45 °C漂移 > ±1 °C在可選的 A2h 106–107 / CMIS Aux 中報告
TEC 電流最大值的 ±20–60 %接近 ±100 %正負號表示加熱還是製冷

如何使用這些表格

  1. 根據模組的代碼識別介面類型(Check transceiver),而不是根據標籤。
  2. Tx 與 Tx 列對比:低於範圍 → 激光器衰退或偽造的恆定值(DDM 電平)。
  3. Rx 與窗口對比:低於 → 預算問題;高於 → 需要衰減(Rx 功率與鏈路預算)。
  4. 偏置電流與激光器類型對比,更好的做法是與該模組自身的歷史數據對比。
  5. 記住 DDM 存在 ±3 dB 的精度誤差(精度與局限):讀數超出窗口 1 dB 並不能說明問題。

本頁數值是典型區間,並非保證值;具體模組的規格書以及相應 PMD 的 IEEE/MSA 表格才是權威依據(PMD 參考)。

這些數值背後的規格書來源,以及如何在不同廠商之間比較 min/typ/max:解讀規格書


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