লেজারের ধরন: VCSEL, FP, DFB, EML, টিউনেবল, SiPh
ছয় ধরনের আলোর উৎসেই বাজারের প্রায় সব অপটিক্যাল ট্রান্সিভার চলে। আলো কীভাবে তৈরি হয়, কীভাবে মডুলেট করা হয় এবং তরঙ্গদৈর্ঘ্য কতটা বিশুদ্ধ, এসব দিক থেকে এগুলো আলাদা; আর সেই কারণে খরচ, পাল্লা ও উপযোগী ফাইবারের দিক থেকেও আলাদা।
এক নজরে
| লেজার | গঠন | তরঙ্গদৈর্ঘ্য | ফাইবার | মডুলেশন | পাল্লার শ্রেণি | কুলিং | খরচ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VCSEL | উল্লম্ব ক্যাভিটি, তল থেকে আলো ছাড়ে | 850 nm (SWDM-এ 880–940-ও) | মাল্টিমোড | ডাইরেক্ট, 25G NRZ / 50–100G PAM4 পর্যন্ত | 70–550 m | না | সবচেয়ে কম |
| FP | এজ-এমিটিং ফ্যাব্রি–পেরো, মাল্টিমোড স্পেকট্রাম | 1310 nm | সিঙ্গেল-মোড | ডাইরেক্ট, ≤ 2.5–10G | 2–10 km | না | কম |
| DFB | এজ-এমিটিং, বিল্ট-ইন গ্রেটিংসহ → একক তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 1310, 1550, CWDM, DWDM | সিঙ্গেল-মোড | ডাইরেক্ট (DML), 10–25G NRZ পর্যন্ত, 50G PAM4 | 10–40 km | না (CWDM) / হ্যাঁ (DWDM) | মাঝারি |
| EML | একই চিপে DFB + ইলেকট্রো-অ্যাবজর্পশন মডুলেটর | 1310, 1550, LAN-WDM, CWDM | সিঙ্গেল-মোড | এক্সটার্নাল, প্রতি লেনে 25–100G+ | 10–80 km | সাধারণত হ্যাঁ | বেশি |
| টিউনেবল | DBR / এক্সটার্নাল ক্যাভিটি / ITLA | যেকোনো DWDM চ্যানেল, C-ব্যান্ড | সিঙ্গেল-মোড | এক্সটার্নাল (EML বা MZM) | 80 km → কোহেরেন্টে 1000 km+ | হ্যাঁ | সবচেয়ে বেশি |
| SiPh | InP CW লেজার + সিলিকন মাখ-জেন্ডার বা রিং মডুলেটর | 1310 (DR/PSM), 1550 (কোহেরেন্ট) | সিঙ্গেল-মোড | এক্সটার্নাল, প্রতি লেনে 100–200G | 500 m → কোহেরেন্ট | CW লেজার প্রায়ই কুলিংসহ | বড় পরিমাণে উৎপাদনে মাঝারি |
VCSEL: ভার্টিক্যাল-ক্যাভিটি সারফেস-এমিটিং লেজার
আলো ওয়েফারের সঙ্গে লম্বভাবে বেরোয়, তাই VCSEL ওয়েফারেই টেস্ট করা যায়, অ্যারে আকারে বানানো যায় এবং সাধারণ লেন্স দিয়ে মাল্টিমোড ফাইবারে কাপল করা যায়। এগুলো সবচেয়ে সস্তা ও সবচেয়ে কম পাওয়ারের লেজার, আর স্বল্প পাল্লার অপটিক্সের (SX, SR, SR4, SR8, AOC) দাম এত কম হওয়ার কারণও এটিই। সীমাবদ্ধতা: 850 nm কেবল মাল্টিমোড ফাইবারে চলে, তাই পাল্লা ঠিক হয় মডাল ব্যান্ডউইথ দিয়ে: 1G-তে প্রায় 550 m, OM3/OM4-এ 10G-তে 300–400 m, 25G-তে 100 m, 50G PAM4-এ 70–100 m। প্রতি লেনের রেট 100G PAM4-এর কাছাকাছি গিয়ে থেমে যায়; এ কারণেই বড় পরিসরে পরিকল্পিত সর্বশেষ VCSEL প্রজন্ম হলো 800G SR8। দেখুন চিপ-অন-বোর্ড।
FP: ফ্যাব্রি–পেরো
সবচেয়ে সরল এজ-এমিটিং লেজার: দুটি ক্লিভ করা ফ্যাসেট ক্যাভিটি তৈরি করে এবং এটি একসঙ্গে একাধিক লংগিচুডিনাল মোডে আলো ছাড়ে। সেই চওড়া স্পেকট্রাম ফাইবারে ছড়িয়ে পড়ে (ক্রোমাটিক ডিসপারশন), তাই FP লেজার কম রেট ও ছোট সিঙ্গেল-মোড পাল্লায় সীমাবদ্ধ: 1000BASE-LX-এ 10 km, 2.5G-তে 2 km। সস্তা, কুলিংবিহীন, বর্তমানে মূলত পুরোনো প্রযুক্তি।
DFB: ডিস্ট্রিবিউটেড ফিডব্যাক
অ্যাকটিভ অঞ্চল বরাবর খোদাই করা একটি গ্রেটিং আলোকে একটি মাত্র লংগিচুডিনাল মোডে বাধ্য করে: লাইনউইডথ সরু, তরঙ্গদৈর্ঘ্য স্থিতিশীল, আর 10–40 km-এর জন্য যথেষ্ট পাওয়ার। ডাইরেক্ট মডুলেটেড (DML) DFB সবচেয়ে বেশি ব্যবহৃত হয় 10G LR, 25G LR, CWDM4 ও রঙিন CWDM SFP-তে; প্রায় 0.1 nm/°C সরণ একক তরঙ্গদৈর্ঘ্যের জন্য বা 20 nm CWDM ব্যবধানে সমস্যা নয়, তাই এগুলো কুলিং ছাড়াই চলে। DWDM-এর জন্য একই লেজারকে TEC-এর ওপর বসানো হয়, যাতে 50 GHz-এর স্লট ধরে রাখা যায়। ডাইরেক্ট মডুলেশন যোগ করে চার্প: কারেন্ট সুইচ করার সঙ্গে সঙ্গে তরঙ্গদৈর্ঘ্য সরে যায়, যা ডিসপারশনের মধ্য দিয়ে 10G-তে DML-এর পাল্লা প্রায় 40 km এবং 25G-তে প্রায় 10 km-এ সীমিত করে।
EML: এক্সটার্নালি মডুলেটেড লেজার
EML-এ DFB কন্টিনিউয়াস-ওয়েভ অবস্থায় চালু থাকে, আর একই চিপে সমন্বিত ইলেকট্রো-অ্যাবজর্পশন মডুলেটর (EAM) আলোকে মডুলেট করে। লেজার থেকে চার্প আসে না, এক্সটিংকশন রেশিও বেশি এবং প্রতি লেনে 25G/50G/100G গতি সম্ভব, তাই 10G ER/ZR, 100G LR4/ER4 (চারটি LAN-WDM EML), 400G FR4/LR4/DR4 এবং 800G-তে EML-ই বেছে নেওয়া হয়। তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থিতিশীলতার জন্য সাধারণত কুলিং থাকে; DFB-এর চেয়ে খরচ ও পাওয়ার বেশি।
টিউনেবল লেজার
96টি রঙিন পার্ট নম্বরের মজুত না রেখে DWDM চালাতে হলে দরকার টিউনেবল উৎস: DBR লেজার (গ্রেটিং অংশে কারেন্ট দিয়ে টিউন করা), এক্সটার্নাল-ক্যাভিটি লেজার, অথবা ITLA (ইন্টিগ্রেবল টিউনেবল লেজার অ্যাসেম্বলি), যার micro-ITLA ও nano-ITLA সংস্করণ SFP+ ও QSFP-DD-তে বসানোর মতো ছোট। টিউনিং তাপীয় বা বৈদ্যুতিক পদ্ধতিতে C-ব্যান্ড জুড়ে হয়; তরঙ্গদৈর্ঘ্য লকার চ্যানেলটি ধরে রাখে। দেখুন টিউনেবল DWDM ট্রান্সিভার।
সিলিকন ফোটনিক্স (SiPh)
সিলিকন নিজে লেজার আলো ছাড়তে পারে না, কিন্তু আলোকে মডুলেট ও রাউট করতে খুবই পারদর্শী। SiPh ট্রান্সিভার ব্যবহার করে বাইরের একটি InP CW লেজার (একটি লেজার একাধিক লেনকে আলো দিতে পারে) এবং একটি সিলিকন চিপ, যাতে থাকে মাখ-জেন্ডার বা রিং মডুলেটর, ওয়েভগাইড, WDM মাল্টিপ্লেক্সার এবং প্রায়ই জার্মেনিয়াম ফটোডায়োড। বড় পরিমাণে CMOS উৎপাদন, ছোট আকার এবং সহজ ইন্টিগ্রেশনের কারণে 100G PSM4/DR, 400G DR4, 800G DR8 এবং 400ZR/ZR+-এর কোহেরেন্ট মডুলেটরে SiPh প্রধান। বয়সের সঙ্গে ক্ষয় হয় যে অংশটি, সেটি এখনো InP লেজারই।
ডাইরেক্ট বনাম এক্সটার্নাল মডুলেশন
| ডাইরেক্ট (DML: VCSEL, FP, DFB) | এক্সটার্নাল (EML, MZM) | |
|---|---|---|
| পদ্ধতি | লেজারের কারেন্ট সুইচ করা | লেজার চালু রাখা; আলাদা একটি উপাদান দিয়ে মডুলেট করা |
| চার্প | আছে → ডিসপারশন পাল্লা সীমিত করে | নগণ্য |
| এক্সটিংকশন রেশিও | মাঝারি (3–6 dB) | বেশি (8–10 dB+) |
| প্রতি লেনে গতি | ~25G NRZ / 50G PAM4 পর্যন্ত | 100G+ PAM4, কোহেরেন্ট |
| খরচ, পাওয়ার | কম | বেশি |
মডিউলে কী আছে তা কীভাবে বোঝা যায়
শনাক্তকরণ তথ্যের বাইট লেজার সম্পর্কে সরাসরি বলে অল্পই, তবে তিনটি ফিল্ড থেকে আন্দাজ করা যায়: তরঙ্গদৈর্ঘ্য (850 → VCSEL; 1310 → FP/DFB/EML/SiPh; 1550/DWDM → DFB/EML/টিউনেবল), পাল্লার কোড এবং রেট। DDM ছবিটি নিশ্চিত করে: VCSEL-এর Tx বায়াস থাকে কয়েক mA-এ, DFB-এর 20–60 mA-এ, কুলিংযুক্ত EML-এর আরও বেশি, আর কয়েক মাস ধরে বায়াস বাড়তে থাকা মানে লেজারের বয়সজনিত ক্ষয় (বিকল হওয়া)। কোন লেজার কোন ফর্ম ফ্যাক্টর ও রেটের সঙ্গে যায়, তার মানচিত্র আছে ফর্ম ফ্যাক্টর ও ডেটা রেট অনুযায়ী লেজার পেজে।
প্রতিটি লেজার কীভাবে ক্ষয় হয় এবং আয়ুর সময়কালে DDM-এ তার বায়াস কারেন্ট কেমন দেখায়: Tx বায়াস ও লেজারের এজিং।
লেজার কীভাবে প্যাকেজ করা হয়, অ্যালাইন করা হয় এবং প্রতিফলন থেকে সুরক্ষিত রাখা হয়: অপটিক্যাল প্যাকেজিং; চারটি লেজার কীভাবে একটি ফাইবার ভাগ করে এবং DWDM লেজার কীভাবে তরঙ্গদৈর্ঘ্য ধরে রাখে: মডিউলের ভেতরে WDM।
তাপমাত্রার সঙ্গে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সরণ, থ্রেশহোল্ড ও আয়ু কীভাবে বদলায় এবং তার ভিত্তিতে গড়া কমার্শিয়াল/ইন্ডাস্ট্রিয়াল গ্রেড: তাপমাত্রার গ্রেড।
এই লেজারগুলোর স্পেকট্রাল প্রস্থ ও চার্প কীভাবে ক্রোমাটিক ডিসপারশন পেনাল্টি ও পাল্লার সীমায় পরিণত হয়: ডিসপারশন ও ব্যান্ডউইথ।